在美國給予三星電子和 SK 海力士部分豁免權，使它們暫時不會受到美國鎮壓中國政府科技野心的影響，但這兩家公司在中國生產記憶體晶片，仍然面臨著制定 B 計劃的壓力。
這兩家韓國晶片製造商獲得了為期一年的豁免權，可以繼續在中國使用含有美國技術的半導體設備——這是美國管制措施的目標之一。
但這兩家在中國有很大記憶體晶片生產足跡的公司認為，一年豁免可能是給他們做出改變的最後期限，而不是一個繼續受益的訊號。據一位相關消息人士稱，他們已經開始評估其在中國營運的商業風險，並為不同的情況進行規劃。
一位熟悉兩家韓國公司想法的產業主管告訴《日經亞洲》「他們把 1 年的豁免視為對其中國業務的警告，而不是橄欖枝」。
他們在中國業務的任何重組都將對雙方都產生影響。中國佔三星儲存型快閃記憶體（NAND Flash）晶片超過 40% 以上的產量，三星是此類晶片全球最大的製造商。SK 海力士在中國生產了約 40% 的動態隨機存取記憶體（DRAM）晶片，而 SK 海力士是此類晶片全球第二大製造商。
NAND 和 DRAM 晶片都是廣泛用於從電腦、智慧型手機到汽車電子設備中的核心零件。
SK 海力士上週宣佈，美國政府向該公司、其供應商和商業夥伴保證，他們可以在 12 個月內維持在中國的半導體生產，而無需進一步的許可要求。
但該公司表示，它不確定這段時間後事情將如何發展。SK 海力士的一位發言人說「許可證可以延長，或者我們接受逐案審查。韓國和美國政府同意繼續就這個問題進行討論。」
韓國方面證實，產業通商資源部已經代表三星和 SK 海力士與美國商務部工業和安全局進行了談判。
三星拒絕就公司是否得到這樣的許可發表評論。但一位熟悉這個議題的消息人士說，三星明白 1 年的豁免權不能保證它在中國的業務前景。
一位匿名的消息人士表示「誰知道 1 年後會發生什麼事？它可能會也可能不會被延長。許可證可能被拒絕，這樣該公司就可能面臨逐案審查。」
美國的出口管制凸顯出韓國夾在世界兩個超級大國之間的兩難處境。美國受到《美韓共同防禦條約》的約束，在韓國駐紮了軍隊，在與北韓發生衝突時是韓國最親密的盟友。但是，傳統上支持北韓的中國是韓國最大的貿易夥伴，也是與韓國有著深厚歷史和文化連結的鄰國。
讓問題更加複雜的是，雖然美國和韓國有長期的政治和軍事聯盟，而且儘管有些韓國公司是美國的主要投資者和就業提供者，但美國的貿易和工業政策有時還是會擠壓到韓國的大公司，例如現代汽車生產的電動汽車最近就被排除在美國的稅收抵免之外，因為它們不在美國生產。
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Counterpoint Research 的資深半導體分析師王哲宏（Brady Wang）告訴《日經亞洲》，先進的記憶體晶片工廠需要大量投資，必須不斷升級以保持競爭力，而美國最新的管制措施為國際晶片製造商在中國的業務帶來了巨大的不確定性。
王哲宏提到「美國的最新禁令肯定會導致這些晶片大廠對在中國進行更多的投資持更加謹慎的態度。而且，基於目前記憶體晶片領域供應過剩的市場環境，考慮到所有地緣政治的不確定性，這些晶片製造商不太可能會想要在此時或 1 年內大規模地擴大他們在中國的產能。」
美國兩週前實施了新的出口管制條例，要求向中國出口某規格以下的半導體設備與原料必須獲得許可。這些生產設備涉及的製程規格包括 18 奈米或以下的動態隨機存取記憶體（DRAM）晶片，128 層或以上的儲存型快閃記憶體（NAND）晶片，以及 16 奈米、14 奈米或以下的邏輯晶片。
韓國產業研究院的研究員 Kim Yang-paeng 說，美國正在向三星和 SK 海力士發出訊息，就是它們需要退出中國並在美國建立晶片製造廠。
Kim 指出「短期內，他們遭受退出中國以及在美國設廠的壓力，問題是三星和 SK 海力士幾乎沒有對策來抵消這種壓力，因為美國政府已經實施這些規定。華府是半導體產業中最強大的力量。」
根據 Counterpoint Research 今年的估計，按產能計算，三星在中國的 NAND 快閃記憶體產能佔全球產能的 14% 以上。而 SK 海力士在中國的 DRAM 產量佔全球產能的 13.8%。
SK 海力士也已經完成了收購英特爾在中國大連市的 NAND 快閃記憶體工廠的第一階段交易。根據 Counterpoint 的數據，按產能計算，該工廠約佔全球 NAND 快閃記憶體產能的 6.8%。
三星在西安的 NAND 快閃記憶體工廠早在 2012 年宣佈成立並在 2014 年開始營運時，就是中國最大的外國晶片製造投資商。研究公司集邦科技（Trendforce）的數據顯示，三星在全球 NAND 快閃記憶體市場擁有約 30% 的市佔率。
而 SK 海力士從 2006 年開始在無錫生產記憶體晶片，並不斷升級和擴大產能。SK 海力士擁有全球 DRAM 市場約 30% 的佔有率。
其他全球領先的記憶體晶片製造商在中國的產量也很有限。美國記憶體晶片製造商美光科技在中國西安市有一個晶片組裝和測試的設施，但在中國沒有晶片製造廠。而日本鎧俠（KIOXIA，主要生產儲存型快閃記憶體）的中國廠也不具備晶片製造能力。
韓國晶片製造商 SK 海力士 10 月 26 日表示，如果美國最近實施的出口管制使得難以在中國繼續營運，將考慮在最壞的情況下出售其在中國的記憶體晶片生產設施。
SK 海力士行銷長盧鍾元（Kevin Noh）在討論第三季財報電話會議上表示「作為一項應急計劃，我們正在考慮出售晶圓廠，出售設備或將設備轉移到韓國」。他也強調「這是一個應急計劃。我們希望（繼續）營運，不要面對到這種情況。」
盧鍾元說，這家全球第二大 DRAM 製造商的韓國公司因為它在上海附近的無錫工廠受到了許多限制而承受了苦難。該工廠為其他公司的訂單生產 DRAM 晶片。
據市場研究公司稱，SK 海力士的無錫工廠生產該公司 40% 以上的 DRAM 晶片，這是他們的主要業務。
兩週前，SK 海力士宣布已獲得了美國為期一年的豁免，可以繼續使用美國技術在中國生產先進的記憶體晶片。但盧鍾元表示，他不確定公司是否能在期限屆滿後獲得延長。
盧鍾元說「我們期望每年都能延長，但這不確定。非常不確定。」
盧鍾元的警告強調了美國鎮壓中國科技野心所帶來的深遠影響，即使是美國的親密盟友——韓國，也可能最終被吞噬在這種影響中。
王哲宏分析師認為盧鍾元的評論是為了制定「中長期應急計劃」，以便該公司能夠讓投資者提前瞭解可能發生的情況，而完全撤出中國是最壞的情況。
王哲宏強調，該公司做決定的時間顯然正在流逝。他在一封電子郵件中提到「SK 海力士必須在給定的豁免年限內做出決定。」
這些評論是在該公司宣佈其第三季營業利潤與去年同期相比暴跌 60.3% 之後不久發表的，因為在高通膨和經濟低迷的情況下，該公司受到了全球低需求的沈重打擊。
SK海力士表示，第 3 季截至 9月份的三個月，營業利潤總額為 1.7 兆韓元（12 億美元），而收益與去年同期相比下降 7.0%，為 11 兆韓元。同時，淨利暴跌 66.7%，為 1.1 兆韓元。按季度計算，營業利潤下降了 60.5%，而收益下降了 20.5%。
分析師表示，由於不利的宏觀經濟條件給正在經歷週期性下跌的記憶體行業帶來負擔，SK 海力士可能在今年最後 3 個月陷入虧損。
Sangsangin 投資安全顧問公司分析師傑伊・金（Jay Kim）在 SK 海力士 26 日公佈財報後的一份說明中表示「考慮到第四季（晶片）價格的艱難處境（SK 海力士的利潤）會繼續逐季下降。我們不能排除該公司擺動到虧損的可能性。」
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參考新聞連結：
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