美國政府 21 日公佈《晶片法》（CHIPS and Science Act）中「護欄條款（guardrails）」制定的詳細規定（Notice of proposed rulemaking, NPRM），對於在中國工廠升級和投資的規範比原先預期要來的寬鬆，減輕了三星電子和 SK 海力士等韓國半導體公司面對到的「中國風險」。分析指出，這是基於美國政府認為限制同盟國的工廠投資會造成更大的損失而非利益，所以接受了韓國政府的主張。而三星電子宣佈 2042 年以前，將在韓國將建立 5 座晶圓廠和先進記憶體晶片工廠，打造全球最大半導體聚落。
美國拜登政府於 21 日公佈了有關去年 8 月通過的總額為 527 億美元（約新台幣 1.6 兆元）晶片補貼計畫的詳細規定。接受補助金的企業，未來 10 年內，在中國、俄羅斯、伊朗和北韓等「受關注國家」的工廠，其先進製程半導體生產能力的擴張被限制在 5％（成熟製程為 10％）以內。
限制生產能力擴張是指限制晶圓的產量。不過，半導體是透過在晶圓上刻上原始設計進行生產的，隨著技術發展，每片晶圓可生產的晶片數量也會增加。
韓國政府迄今主張「如果美國過度限制韓國半導體製造商在中國的設備投資，將會增加中國半導體製造商的利益」。這樣一來，韓國半導體製造商的競爭力在生產智慧型手機、電腦、電視等家電產品時會受到損害，而且這部分的市場也將被中國半導體製造商所取代，最終會威脅到美國的利益。
事實上，中國已經開始追趕韓國的半導體製造商，其中以長江存儲科技（YMTC）為首。長江存儲在去年底成功開發出最先進的 232 層 3D 儲存型快閃記憶體（NAND Flash），並且預計今年在記憶體晶片的市占率會提升至 3.8％，明年會躍升至 6.7％。華為創辦人任正非上個月在上海交通大學的研討會上也表示，「在過去 3 年來，由於美國的制裁，韓國產品中的 1 萬 3,000 多個零組件已經被更換成了中國製造的，並且還重新設計了 4,000 個電路板。」
而韓國政府計畫吸引民間投資 300 兆韓元（約新台幣 7 兆元），在首爾及周邊地區建立全球最大的非記憶體半導體聚落。此外，為培育太空、未來汽車、氫能等次世代產業，將在全國 14 個地區新建國家產業園區。產業通商資源部和國土交通部在 15 日的非常經濟民生會議上發表了「國家尖端產業培育戰略」和「國家尖端產業帶建設計畫」。
國家尖端產業培育的主軸是三星電子投資的非記憶體半導體聚落。三星電子到 2042 年的 20 年間將投資 300 兆韓元（年平均 15 兆韓元，約新台幣 3,550 億元），計畫在京畿道龍仁市建設 5 個次世代半導體製造工廠等生產設施。國土部於同日在該地區規劃一片 710 公頃的土地（編按：竹科面積 686 公頃）作為國家產業園區的候選地。尹錫悅總統表示「現在的全球競爭形勢已經是生死存亡的問題，必須加快腳步。我們要培育全球最大的半導體聚落。」
三星電子表示，如果建立了新的聚落，加上原本位於京畿道西南部器興、華城、平澤、利川的半導體生產園區以及附近的材料、零件、設備企業、無廠半導體公司（fabless，負責晶片設計）等，將會形成世界上最大的「半導體超級聚落」，預計如果投資 300 兆韓元，直接和間接產生的生產效益將達 700 兆韓元（約 70.5 兆日圓），並將帶動 160 萬人的就業機會。
這項半導體聚落的計劃，也被認為對美國政府的態度轉變產生了影響。半導體產業相關人士指出「三星已經釋放出訊息，如果美國政府對它過度限制，它可能會重新考慮超過 200 兆韓元（約新台幣 4.7 兆元）對美投資。龍仁半導體聚落建設計劃已經成為壓制美中兩國的一張牌。」
韓國總統府在與此次詳細規定相關的問題上表示，「在最小化韓國企業損失、最大化國家利益的方向上，我們一直在與美國談判，並做出了各種努力。」總統府官員表示「由於尹錫悅總統對此視為是半導體產業的生死問題，因此在即將到來的 4 月韓美領袖會談之前，將繼續進行相關協商。」
韓國的立場是暫時歡迎這一項政策。產業通商資源部的李昌洋部長於 22 日表示：「現在沒有具體限制技術升級，（在中國）可能可以再擴大的生產能力。對 5％（的條款）可能有不同的看法，但我認為已經滿足了讓企業安心的基本要求。」漢陽大學融合電子工程系教授朴哲根（音譯）評價道：「我們原本擔心最糟會到無法在中國生產半導體，但韓國政府與美國商務部會面多次，成功達成協議。」
然而，韓國半導體產業仍然存在必須關注的問題。最大的擔憂是到今年 10 月之後會開始限制韓國向中國出口半導體設備的措施。去年 10 月，美國給予三星電子和 SK 海力士一年的豁免期，可以引進升級中國工廠所需設備。今年 10 月，這一寬限措施將到期，必須在 7～8 月期間再次進行談判。業界人士表示：「如果美國不能繼續容許這一措施，那麼就不能在中國投資先進設備，這最終可能會對技術發展造成限制，因此我們還不能放心。」
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目前，三星電子有 40％ NAND 型快閃記憶體，SK 海力士則有 40％ 動態隨機存取記憶體（DRAM） 和 20％ NAND 在中國工廠生產。特別是在記憶體晶片領域，由於技術發展速度快速，如果在未來 10 年內沒有進行技術開發，中國工廠的實際經濟效益將下降。
美國商務部所制定的成熟製程標準也成為了爭論的焦點。目前，28 奈米邏輯晶片、18 奈米 DRAM 和 128 層堆疊式快閃記憶體被定為成熟製程的標準，並限制了更高技術的投資。半導體產業人士表示：「但隨著時間的推移，這些水準的半導體將來會在市場上變得無人問津。如果不根據技術發展速度修改細節規定，最終會變成投資制裁一樣的結果。」對此，美國商務部高層解釋「成熟製程的定義在《晶片法》中規定每 2 年進行修訂。」
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參考新聞連結：
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