三星技術外洩至中國蓋複製工廠　韓國法辦內賊

涉嫌竊取三星電子半導體晶片工廠設計圖等資料，企圖在中國建立複製工廠的前三星電子高階主管等人已被移送法辦。根據韓國檢方推估，三星電子因技術外洩而造成的損失最少達到 3,000 億韓元（約新台幣 72 億元）。

韓國水原地方檢察廳的防衛事業／產業技術犯罪調查部於本（6）月 12 日發布新聞稿表示，拘留並起訴涉嫌違反《產業技術保護法》和《防止不正當競爭法》（包含商業秘密外洩到海外等）的 A 被告（現年 65 歲）。此外，對於 A 被告在海外設立的一家半導體晶片製造 C 公司的員工 B 被告等 5 人，以及一名帶走設計圖的三星電子合作公司的員工，也被以違反《防止不正當競爭法》等嫌疑起訴。

水原地檢在新聞稿中表示這起案件的嚴重程度「從犯罪規模和損害程度上，難以與過去個別半導體技術外洩案件進行比較。」

A 被告等人自 2018 年 8 月到 2019 年，利用竊取到手的三星半導體晶片工廠 BED（Basic Engineering Data）、製程配置圖和設計圖等商業機密資料，計劃在中國西安建設半導體工廠。

晶片工廠 BED 是指在製造晶片的無塵室中，防止雜質混入以創造最佳製造環境的核心技術。而工程配置圖則是一份包含了晶片製造的核心 8 個製程的配置和面積等相關資訊的藍圖。是用於製造電腦、手機等產品所使用的 30 奈米以下 DRAM 和 NAND 型快閃記憶體的晶片製程技術。

這些是三星電子經過 30 多年的實驗、研發和模擬所獲得的資料，以達到最佳的晶片製程，檢方明確表示，這些資料是價值至少 3,000 億韓元，甚至最高可達數兆韓元的商業秘密，也是國家的核心技術。

背後指使者：韓國半導體知名權威

A 被告自 1984 年起在三星電子工作了 18 年，擔任過記憶體部門的常務。於 2001 年轉職到海力士半導體（現在的 SK 海力士），並於 2003 年擔任記憶體生產中心主管，2005 年就任記憶體製造本部長。在這期間，A 被告大幅提升了當時明顯落後於三星電子的海力士的技術能力。在公司處於重建階段且無法進行適當投資的時期，他改善了每個製程的設備，也進行製程重組，自稱是重建管理的救星。結果，A 讓海力士比三星電子還要早成功開發了 80 奈米的製程技術，並在半導體領域獲得了「良率達人」的稱號。

據傳，當時聽到這一消息的三星電子會長李健熙嚴厲斥責了半導體事業的管理團隊。A 被告憑藉這些成績一直晉升到海力士的首席技術長（CTO），並列入海力士 CEO 候選人之一。

在離開海力士後的 10 年間，A 被告轉職到太陽能行業，並展現了作為「良率達人」的能力，成功地減輕了太陽能電池一直存在的發電效率下降問題，同時也提高了效能。

他運用在半導體領域所獲得的專業知識，實現了業界最低的製造成本，提升了企業的競爭力。他在中國和新加坡等地成立半導體公司，這些公司擁有 43 項與半導體相關的專利，因此也有人認為這對中國的半導體技術發展帶來了重要的影響。

A 是在 2015 年 7 月於新加坡創立了半導體 C 公司。3 年後 2018 年 8 月，與台灣一家電子產品製造、銷售公司（編按：水原地檢的新聞稿中未揭露所有公司名稱，而根據自由時報報導，該台灣公司可能是鴻海富士康）簽訂了 8 兆韓元（約新台幣 2,000 億元）的投資協議。然而，當該台灣公司中斷支援後，他於 2020 年 4 月在中國成都獲得 4,600 億韓元（約新台幣 110 億元）的投資，成立了半導體 D 公司。

《日經新聞》指出 2018～2019 年正好與美國開始壓制中國半導體產業興起的時期重疊，有可能因此台灣公司才停止投資，讓 A 被告的晶片工廠計畫受挫。

在中國西安複製三星晶片工廠

他們利用獲得的海外投資和竊取的技術，在中國西安推動複製一座與三星電子相同的半導體晶片工廠，距離三星的晶片工廠僅 1.5 公里。

根據檢方的調查，A 被告在建設工廠的過程中，積極指示 B 被告等 C 公司的員工去取得及使用三星電子的設計資料。

在此過程中，C 公司一位曾在三星電子工作過的組長，提供了一份在 2012 年離職時非法取得了晶片工廠的 BED 資料。工廠的設計圖則是被三星電子西安半導體工廠的合作公司的員工攜出。檢方還在進一步調查製程配置圖是如何外洩的。

然而，這座複製工廠因為和台灣公司的 8 兆韓元投資出現問題，所以實際上並未建廠。但 A 被告在中國成都接受投資成立的 C 公司於去（2022）年完成了研發大樓的建設，今年已生產出使用三星電子半導體技術的樣品。

韓國檢方在 2019 年 8 月大檢察廳（最高檢）收到情報後開始著手調查。但由於A 被告等人長期滯留在中國，導致檢方不得不暫停調查，但在今年 2 月被告等人回國後，檢方重啟調查，A 被告在今年 5 月因病回國療養時被逮捕，其他人也被起訴。

據悉，A 被告否認了所有指控。其他被告則承認了部分犯行。違反《產業技術保護法》外流國家核心技術將處以 3 年以上有期徒刑及併科罰金 15 億韓元（約新台幣 3,600 萬元）。而違反《防止不正當利益競爭法》使商業秘密在外國被用以獲得不正當利益或對商業秘密所有人造成損害，將被處以 15 年以下有期徒刑或 15 億韓元以下罰金；在判處罰金的情況下，若違法行為所獲得的財產利益金額乘以 10 倍後超過 15 億韓元，則將處以財產利益金額的 2 倍以上、10 倍以下的罰金。

檢方相關人士表示：「A 被告等人不僅僅是洩漏部分半導體技術，而是試圖複製整個半導體工廠。如果他們（在西安）成功建廠，將大量生產與韓製晶片相似品質的半導體產品，這對韓國半導體產業將造成無法挽回的損失。」