《中央日報》本（9）月 27 日報導，美國政府最快在本週會通知韓國，將無限期豁免對三星電子和 SK 海力士在中國工廠的美國晶片製造設備的出口管制。這可能可以消除韓國半導體行業在中國業務方面的一些不確定性。
據相關業界和韓國政府消息人士透露，美國商務部最近已決定無限期寬限對韓國企業的半導體設備出口到中國工廠的管制措施，近期將通知韓國。
在這之前，美國政府已限制能製造 18 奈米以下的 DRAM、128 層以上的 NAND 型快閃記憶體和 14 奈米以下的邏輯晶片的美國技術和設備出口到中國，但對於在中國經營大規模生產工廠的韓國和台灣半導體企業，給予了為期一年的豁免期。
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韓國政府為了在 10 月即將到期的豁免期與美國政府協商了好幾次，最終美國決定韓國半導體企業適用例外的無限期寬限措施。
具體來說，三星電子、SK 海力士等韓國企業在中國的工廠已被納入「核定最終用戶」（VEU）名單。名單內這些事先獲得批准的企業將可以更輕鬆快速引進指定的設備，而無需再另外逐一獲得美國商務部的批准，這實際上抹消了出口管制的作用。
美國商務部副部長葛瑞夫茲（Don Graves）在 21 日訪問韓國時表示，「我們確定容許韓國半導體企業在中國的合法業務可以繼續進行」，並表示「我們不希望對與美國合作的國家的半導體企業施加不必要的限制」。
半導體技術和設備出口管制寬限措施從一年變為實質上的無限期，意味著三星電子和 SK 海力士將可以在中國工廠進行長期性的投資和經營規劃。
目前，三星在中國西安經營 NAND 型快閃記憶體工廠，而 SK 海力士則在無錫和大連分別擁有 DRAM（動態隨機存取記憶體）和 NAND 型快閃記憶體工廠。半導體行業相關人士表示，減少業務的不確定性具有重要意義，未來可以制定長期的中國工廠營運計劃了。
儘管如此，這並未完全消除韓國在中國業務前景的不確定性。除了出口管制豁免以外，美國仍藉由《晶片與科學法》（CHIPS and Science Act）的護欄條款針對有資格接受美國政府補貼的企業，在收到補貼後的 10 年內，限制其在中國、俄羅斯、伊朗和北韓等「受關注國家」工廠的生產能力擴張，以晶圓作為基準，先進製程的增產限制在 5％ 以下，28 奈米及以上的成熟製程，則為 10％ 以下，若超出限制則必須歸還補貼。報導指出三星電子符合《晶片與科學法》的適用範圍，SK 海力士也很有可能被納入。
所以其實美國對韓國的中國工廠實際上只是發出「維持現狀」的訊息，因此分析指出三星電子和 SK 海力士在短期內仍很難對中國工廠進行大規模投資。
成均館大學電子電氣工程系教授金龍錫（音譯）表示：「在目前的情況下，除了將先進製程的生產基地轉移回韓國以外，沒有其他替代方案。」
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對於美國放過韓國晶片廠，科技專家許美華 27 日於臉書發文強調三星與 SK 海力士在中國生產的是記憶體晶片，而非具有運算能力的晶片，而美國對中國半導體的制裁，主要是針對可以發展人工智慧等技術的高階運算晶片，因此美國此次的無限期豁免應是出自於這個考量。
此外，三星與 SK 海力士在中國生產的記憶體晶片仍受美國實體清單（Entity List）的限制，依舊是不能販售給在名單上的中國公司。
先前《彭博社》本月 7 日曾報導，中國智慧型手機品牌華為最近上市的新手機 Mate 60 Pro 當中被發現含有 SK 海力士用於智慧型手機的 DRAM 和 NAND 快閃記憶體。
對此 SK 海力士解釋稱：「自美國對華為實施制裁以來，我們已不再與華為開展業務」，並表示已開始調查以確定具體情況。後來《彭博社》15 日的報導則提到華為手機使用的是 SK 海力士上市多年的晶片模組，原來是華為的舊庫存。
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