韓國半導體大廠 SK 海力士宣布以 90 億美元收購英特爾的NAND記憶體部門，未來將全力爭取各國反壟斷相關部門的批准，預計於 2025 年年初完成收購計畫。屆時，SK 海力士的 NAND 快閃記憶體相關產品市占率將一舉躍昇僅次於三星之後。除此之外，SK 海力士也將出資入股退居第三位的日本鎧俠（Kioxia, 原東芝記憶體 TMC），記憶體美日韓聯盟集結成軍，超前部屬防止中國競爭對手未來的挑戰。
此次，SK 海力士收購部門包含 NAND 快閃記憶體業務和使用相關技術產品的 SSD 固態硬碟，以及中國大連的半導體工廠。SK 海力士在動態隨機存取記憶體（DRAM）領域市站雖僅次於三星電子，但在快閃記憶體領域不僅市佔、技術、獲利能力排名均屬中後段。此外，中國紫光集團旗下長江存儲投入 240 億美元興建的半導體工廠逐漸完工開始量產後，將優先撼動其國內市場，屆時國際市場競爭將更加激烈。SK 海力士高層判斷，除非進入市場前三大否則將難以與中國記憶體廠相抗衡。
快閃記憶體
快閃記憶體是一種電子清除式可程式唯讀記憶體的形式，可以在操作中被多次抹去或寫入的記憶體。快閃記憶體有兩種運作型態，分別為 NOR 型與 NAND 型快閃記憶體。其中 NAND 型快閃記憶體發展的一個目標是為了減少所需的晶片面積來實現給定的快閃記憶體容量，從而降低每位元的成本，並推升晶片最大容量，如此就可與磁性儲存裝置相互競爭，如硬碟。
中國 2015 年發表「中國製造 2025」戰略的產業政策，重點發展、銳意扶植特定產業。在高科技領域投入巨額國家資金扶植成立 3 家半導體公司，生產中國自製半導體，紫光集團旗下長江存儲即為其一，以生產快閃記憶體為主。雖然美日韓記憶體大廠技術仍大幅超前中國，非中國半導體廠一時半刻所能超越，且目前受美國出口管制影響，難以取得高端半導體製造設備，中企要在國際記憶體市場具有競爭力，將花費數十年時間，但不同於美日韓半導體企業，中企擁有國家源源不絕的挹注，美中情勢愈是對立加劇，中國越是加速境內半導體自給自足的供應量與種類，減低對海外廠商的依賴度。未來 Nand Flash市場競爭恐怕更加激烈，美日韓記憶體聯盟唯有加快佈署迎戰崛起的中企，鞏固市場地位防止中企後繼竄起。
參考新聞：
2020/10/21 NHK 韓国 SKハイニックス 米インテルのメモリー事業を買収へ
2020/10/20 日経 SKハイニックス、韓米日連合で対中国 メモリー事業買収